Film islatzailearen aurkako fabrikazio prozesua

Prozesu teknologikoa
Hazkunde materialak eta gas iturriak eman: hazkunde materialak ematea islatzaileen aurkako filmetarako, esaterako, SiO gorpurdiko batzuetan, hazkunde materialei dagozkien gas iturriak eskaintzen dituzten bitartean, hala nola, Sih ₄, n ₂ O eta N ₂ Gas iturriaren konbinazioak .
Hausnarketa-geruzaren anti-sorgaren eraketa: substratuaren geruzaren aurkako hausnarketa-geruzaren anti-geruza sekuentzialen bidez erabili SiO geruza eta xurgapen geruza sekuentzian, sekuentzian sekuentzian, bi geruzaren aurkako hausnarketa geruza (lehen hausnarketa geruza eta bigarren hausnarketa geruza) hartzeko, adibide gisa, hala da Hazkunde Epitarioen Prozesuak eratua (esaterako, Plasma Hobetu Vapor Vapor Kimika Gordetzeko Metodoa PECVD) . urrats zehatzak hauek dira:
Substratuaren prozesamendua: substratuaren geruzaren ondoren, jarri erdieroaleen garbiketa prozesua, jarri substratu geruza CVD gordailu ekipamenduetan .
Ekipamendu parametroen ezarpenak: CVD gordailuaren ekipoen goiko elektrodoen tenperatura 200-300 titulua eta beheko elektrodo tenperatura . titulua da.
Lehen hausnarketaren lehen geruzaren hazkundea: doitu CVD deposizioko lehen mailako lehen deposizioaren parametroak, lehenengo gasaren presioaren lehen boterea, CVD deposizioko lehen mailako lehen boterea, lehen film meheen deposizioa, eta abar ., edo edozein konbinazio, lodiera sorta batekin lehen hausnarketa-geruza hazteko. 10-200 nm eta 1.4-1.71. errefrakzio indize-barrutia
Bigarren isla anti-geruzaren hazkundea: CVD deposizioko ekipoen bigarren deposizioaren parametroak doitu, Sih ₄, n ₂ o eta n, bigarren gasaren presioaren bigarren boterea, bigarren filmen gordailuaren bigarren eta abar, eta abar hausnarketa anti-geruza bat hazteko lehen hausnarketa-geruza gainean, lodiera-tartea duena 10-200 nm eta 1.4-1.71. -ren errefrakzio indize-barrutia

Abantaila teknologikoak
Hazkunde-material bera erabiliz, hausnarketa anti-efektu berdina lor daiteke material desberdinetako hausnarketa-filmekin alderatuta, erabilitako gas iturri motak murriztuz, prestaketa prozesuaren zailtasuna murriztuz eta prestatzeko espazioa eta lan-eremua areagotuz, prestaketa prozesuan zehar prestatzeko prozesuan eta erabiltzeko prestaketa-espazioa eta lan-eremua areagotzea .

Sio hibridoaren fabrikazio prozesua ₂ Film islatzaile anti

Prozesu teknologikoa
Substratua prestatzea: Substratu gardenak, hala nola beira, beira ekologikoa, poliimidoa, eta abar ..
Zinemaren aitzindaria prestatzea: tetraethoxysilane (TEOS) eta tetrabutilgo titanate (TBT) gehitzen zaizkio NH ₄ oh proportzioan.
Estaldura eta sendabidea: prestatutako Sol gelaren sistema modu berdinean estalita dago substratu gardenean, spraying, brotxa eta bestelako eskemak estalduraren ondoren, sio ₂ / tio ₂ filmaren aitzindaria tratamendua sendatzeko eta estutzeko labea osatzen dute .
Estaldura zirkularra: errepikatu estaldura eta sendatze prozesua nahi den antiarekiko efektua lortu arte . estaldura-denbora eta sekuentzia desberdinek eragingo dute filma islatzaileen aurkako errendimenduan, eta ikerketa eta optimizazioa behar dira .
Gainazaleko tratamendua: filma islatzailearen iraunkortasuna eta egonkortasuna handitzea, polimero hidrofiliko eta hidrofobo geruza bat estali daiteke . film islatzailearen gainazalean

Film islatzaile infragorriaren fabrikazio prozesua
Prozesu teknologikoa
Infragorriaren aurkako hausnarketa filma silizioan oinarritzen da eta hau da, hausnarketa-filmaren bi aldeetako filmen anti-sistemen egituraz estalita dago (hl) ^ s, non h adierazten du SIO geruza, SI-k hl oinarrizko egituraren aldia adierazten du eta S-ren balioa osoaren arteko aldia da. 3-6. SI geruza substratuaren ondoan dago, eta SiO geruza gainazalean kokatuta dago. SiO filmaren geruza azpi-geruza gisa eransten da, gainazaleko gogortasun handiagoa du eta, gainera, SiOk errefrakzio indize txikiagoa du, eta horrek gainazalaren isla eta gehikuntza gehiago murriztu ditzake Infragorri transmisioa .

Tenperatura altuko erresistentzien fabrikazio prozesua CO ₂ laser filma islatzailearen aurkako filma
Prozesu teknologikoa
Materiala aurreko urtzea: aurreko urtze tratamendu bereizia Yttrium fluoruroa, kaltziozko fluoruroa eta zinka selenide zinemaren materialetan egiten da, zinema materialen barruan dauden ezpurutasunak kentzeko .
Gordetako zinema geruza: lehenengo Yttrium fluoruro geruza, zinkaren fluoruroaren geruza, zinkaren fluoruroaren geruza eta bigarren yttrium fluoruro geruza sekuentzialki metatzen dira Zinka Selenuro Substratuaren geruzan 3 ± 0 . 1mm-k geruza bakoitzaren estalduraren eremuaren azaleraren% 95 baino gehiago. Geruza bakoitzeko substratu geruza geruza bakoitzeko lodiera fisikoak honako hauek dira: lehenengo Yttrium fluoruroaren geruzaren lodiera fisikoa 95-100 nanometroak dira; Ytterbium kaltzio fluoruroaren geruzaren lodiera fisikoa 860-870 nanometroa da; Zinkaren Selenuro geruzaren lodiera fisikoa 240-250 nanometroak dira; Bigarren Yttrium fluoruroaren geruzaren lodiera fisikoa 95-100 nanometro da.
 

Abantaila teknologikoak
Prestatutako hausnarketa-mintzaren egitura eta diseinu bikainak ditu. eta ingurumena .